今日上午，奧海科技在互動平臺表示，公司已自主研發(fā)出快充氮化鎵產(chǎn)品。而在上周五，聚燦光電公告稱，擬投資約35億元建設(shè)擴產(chǎn)項目，主要產(chǎn)品為Mini/MicroLED氮化鎵、砷化鎵芯片。

《科創(chuàng)板日報》記者了解到，第三代半導(dǎo)體材料以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為四大代表，是 5G 時代的主要材料。雖然第三代半導(dǎo)體尚處于發(fā)展初期，但市場前景廣闊。根據(jù)Omdia發(fā)布的《2020年SiC和GaN功率半導(dǎo)體報告》顯示，到2020年底，全球SiC和GaN功率半導(dǎo)體的銷售收入預(yù)計8.54億美元。未來十年的年均兩位數(shù)增長率，到 2029 年將超過50億美元。

中芯國際創(chuàng)始人張汝京此前曾表示，第三代半導(dǎo)體IDM模式是主流。《科創(chuàng)板日報》記者注意到，在第三代半導(dǎo)體相關(guān)公司中，科創(chuàng)板上市公司華潤微即采取了IDM模式。

華潤微披露的半年報顯示，公司現(xiàn)有在研項目之“硅基氮化鎵功率器件設(shè)計及工藝技術(shù)研發(fā)”，該項目預(yù)計總投資2.44億元，已累計投入1082.84萬元。該在研項目擬達(dá)到的目標(biāo)是，完成650V硅基氮化鎵器件的研發(fā)，建立相應(yīng)的材料生產(chǎn)、產(chǎn)品設(shè)計、晶圓制造和封裝測試能力。據(jù)了解，產(chǎn)品將應(yīng)用于智能手機充電器、電動汽車充電器、電腦適配器等領(lǐng)域。

另外，GaN充電器具有功率大、體積小、效率高的特點，是超級快充技術(shù)突破的關(guān)鍵，因此機構(gòu)預(yù)計下半年開始將成為旗艦手機標(biāo)配進(jìn)而迎來爆發(fā)式增長。

在今年2月披露的招股書中，針對“前瞻性技術(shù)和產(chǎn)品升級研發(fā)項目”，華潤微稱，公司擬在快充電源控制芯片、智能音頻功率放大器等壁壘較高且未來增長較快的細(xì)分領(lǐng)域開展進(jìn)一步研究，具體包括2W-100W各種功率段的音頻功放產(chǎn)品的研發(fā)及基于GaN的PD電源控制芯片研發(fā)等。

《科創(chuàng)板日報》記者注意到，在今年半年報中，華潤微已經(jīng)在開發(fā)“基于GaN的快充方案及芯片研發(fā)”的項目，該項目擬投入資金3948萬元，截至半年報披露累計投入74.51萬元。該項目擬達(dá)到的目標(biāo)是采用新型的GaN器件控制及驅(qū)動技術(shù)，開發(fā)GaN器件的驅(qū)動芯片及基于GaN器件的快充電源系統(tǒng)方案。

除 GaN外，對于第三代半導(dǎo)體材料——碳化硅，華潤微擁有的國內(nèi)首條 6 英寸商用 SiC 晶圓生產(chǎn)線正式量產(chǎn)。今年7月4日，上海慕尼黑電子展期間，華潤微電子功率器件事業(yè)群正式向市場投入1200V和650V工業(yè)級SiC肖特基二極管系列產(chǎn)品，產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于太陽能、UPS、充電樁、儲能和車載電源等領(lǐng)域。

需要注意，碳化硅器件價值鏈可分為襯底——外延——晶圓——器件，其中襯底所占的成本最高為50%，主要原因單晶生長緩慢且品質(zhì)不夠穩(wěn)定，這也使得碳化硅價格高，沒有得到廣泛的推廣。

華潤微則在報告期內(nèi)通過華潤微電子控股有限公司與國內(nèi)領(lǐng)先的碳化硅外延晶片企業(yè)-瀚天天成電子科技(廈門)有限公司(以下簡稱“瀚天天成 ”)達(dá)成《增資擴股協(xié)議》，增資后公司持有瀚天天成3.2418%的股權(quán)。

圍繞著第三代半導(dǎo)體材料業(yè)務(wù)布局相關(guān)情況，《科創(chuàng)板日報》記者今日多次聯(lián)系采訪華潤微，但電話無人接聽。

除華潤微外，揚杰科技同樣采取的IDM的經(jīng)營模式，今年半年報顯示，揚杰科技的產(chǎn)品包含碳化硅SBD、碳化硅JBS等。(吳凡)

關(guān)鍵詞： 第三代半導(dǎo)體材料